次世代パワーデバイス実現に向けた大規模・大領域半導体デバイスシミュレーションの研究
概要
将来のグリーン社会の実現にとって、電力制御装置や電力変換装置の飛躍的効率化が必須である。特にＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）の出現とその改良は自動車の飛躍的燃費向上に表れている。その動作原理の理解や動作特性向上のための大規模・大領域半導体シミュレーションを実現するために、Ｐoisson方程式、移流拡散方程式、熱伝導方程式からなる方程式系をメモリー分散を行いつつ安定で高速に解法する並列化手法を開発し、性能を評価する。
関連Webページ
N/A
業績一覧
N/A